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Intel bringt ersten 65nm NOR Flash-Speicher
07.04.2006, Intel bringt ersten 65nm NOR Flash-Speicher
Speicherdichte von 1 Gigabit
Der Halbleiterhersteller Intel liefert Ende des zweiten Quartals 2006 erste Testmuster seiner Multi-Level Cell NOR-Flash-Speicher aus. Die Chips sollen zu den ersten auf dem Markt gehören, die mit 65nm-Technologie gefertigt wurden und über eine Speicherdichte von 1 Gigabit verfügen. Das gab das Unternehmen gestern in Feldkirchen bekannt. Zum Einsatz kommen Intels NOR-Flash-Speicher beispielsweise in Mobiltelefonen als Speicher für Anwendungen, PIM-Daten (Personal Information Management) sowie Fotos, Musik oder Videos.
Intel produziert seit der zweiten Jahreshälfte 2005 Halbleiter auf Basis des Herstellungsverfahrens mit 65nm Strukturbreite und liefert 65nm-Prozessoren für Notebooks, Desktop-Computer, Server und Embedded-Anwendungen. (as)
(Quelle: www.de.internet.com)
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